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AI 处理器

电阻器网络

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STL220N6F7
ST

产品说明:N沟道 60 V,典型值 1.2 mΩ,120 A STripFET F7 功率MOSFET,采用PowerFLAT 5x6封装

封装:PowerFLAT 5x6
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXFH60N50P3

产品说明:通孔 N 通道 500 V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)

封装:TO-247-3
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL135N8F7AG
ST

产品说明:汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

封装:PowerFLAT™ 5x6
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW40N95K5
ST

产品说明:N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

封装:TO-247
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW48N60M6
ST

产品说明:N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封装

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STF22NM60N
ST

产品说明:N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封装

封装:TO-220-3
10起
50000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NIS5132MN4TXGHW
ON

产品说明:高性能 N 沟道 MOSFET

封装:SOP-8
10起
9000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXTP160N10T

产品说明:通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

封装:TO-220-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH25N12U3SR

产品说明:250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

封装:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH15N19U3SR

产品说明:150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

封装:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH10N22U3SR

产品说明:增强型 N 沟道抗辐射MOSFET,150°C、100V U3

封装:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RCX450N20

产品说明:通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

封装:TO-220-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A

封装:TO-247-3
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

封装:D2PAK-7
10起
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40 V,0.92 m,300 A

封装:5-DFN
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTB7D3N15MC
ON

产品说明:MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封装:TO-263-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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