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产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:通孔 N 通道 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-11
封装:PG-TO247-4-11产品说明:通孔 N 通道 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14产品说明:通孔 N 通道 1200 V 31A(Tc) 169W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14产品说明:通孔 N 通道 1200 V 202A(Tc) 750W(Tc) PG-TO247-4-11
封装:PG-TO247-4-11产品说明:通孔 N 通道 1200 V 22A(Tc) 133W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14产品说明:表面贴装型 N 通道 1200 V 8.1A(Tc) 80W(Tc) PG-TO263-7-12
封装:PG-TO263-7-12产品说明:通孔 N 通道 1200 V 38A(Tc) 197W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14产品说明:通孔 N 通道 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14产品说明:通孔 N 通道 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) PG-TO247-4-11
封装:PG-TO247-4-11产品说明:通孔 N 通道 1200 V 202A(Tc) 750W(Tc) PG-TO247-4-14
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