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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:STL135N8F7AG

商品名称:N 沟道 MOSFET

品牌:ST

年份:25+

封装:PowerFLAT™ 5x6

货期:全新原装

库存数量:15000

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公司名称:

技术参数

制造商
ST
型号
STL135N8F7AG
封装
PowerFLAT™ 5x6
描述
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

产品描述

这款STL135N8F7AG N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术,具有增强型沟槽栅极结构,导通电阻极低,同时还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。


STL135N8F7AG 特性

专为汽车应用和通过 AEC-Q101 认证

是市场上 RDS(导通)最低的器件之一

极佳的 FoM(优点系数)

抗电磁干扰的低 Crss/Ciss 比率

高雪崩坚固性

可润湿侧面封装


STL135N8F7AG 技术参数

FET 类型: N 通道  

技术: MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss): 80 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :130A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.6 毫欧 @ 13A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 103 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6800 pF @ 40 V  

功率耗散(最大值): 4.8W(Ta),135W(Tc)  

工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

等级: 汽车级  

资质: AEC-Q101  

安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼  

供应商器件封装: PowerFlat™(5x6)  

封装/外壳: 8-PowerVDFN 


STL135N8F7AG 应用

开关应用

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型号

品牌

封装

数量

描述

STW40N95K5

ST

TO-247

8000

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STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封装

STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封装

NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH10N22U3SR

Microchip

SMD

3000

增强型 N 沟道抗辐射MOSFET,150°C、100V U3

RCX450N20

ROHM

TO-220-3

5000

通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

NTHL099N60S5

ON

TO-247-3

2500

MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A

常见问题

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    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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ST

ST

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