NTHL099N60S5属于SuperFET® V MOSFET Easy Drive 系列具有出色的开关性能,同时不会牺牲易用性和 EMI 问题,适用于硬开关和软开关拓扑结构。
特性
• 650 V @ TJ= 150°C
• 典型值 RDS(on)= 79.2 m
• 100% 通过雪崩测试
• 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 规范
规范
系列: SuperFET® V
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 99 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 2.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2500 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 184W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
应用
• 电信/服务器电源
• 电动汽车充电器/UPS/太阳能/工业电源
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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