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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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MT61K512M32KPA-14C:B

产品说明:动态随机存取存储器 GDDR6 16G 512MX32 FBGA DDP

封装:FBGA-180
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MT61K512M32KPA-21:U

产品说明:动态随机存取存储器 GDDR6 16G 512MX32 FBGA DDP

封装:TFBGA-180
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MT61K512M32KPA-24:U

产品说明:动态随机存取存储器 GDDR6 16G 512MX32 FBGA DDP

封装:TFBGA-180
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MT61M256M32JE-12 AAT:A

产品说明:动态随机存取存储器 GDDR6 8G 256MX32 FBGA AAT

封装:FBGA-180
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
M15T4G16256A-DEBG2G

产品说明:DDR3(L) SDRAM内存芯片

封装:BGA-96
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AS4C512M32MD4V-046BIN

产品说明:8Gb 512M x 32 位 DRAM LPDDR4X 存储器

封装:FBGA-200
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AS4C512M16MD4V-053BIN

产品说明:8Gb 512M x 16 位 DRAM LPDDR4X 存储器

封装:FBGA-200
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AS4C512M16D3LC-10BIN

产品说明:512M x 16 位 DDR3L 同步 DRAM 内存

封装:FBGA-96
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AS4C512M16D4-75BIN

产品说明:512M x 16 位 DRAM DDR4 内存

封装:FBGA-96
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AS4C256M16D3LC-12BCN

产品说明:256M x 16 位 DDR3L 同步 DRAM 存储器

封装:FBGA-96
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
D0811PM2FDGUKW-U

产品说明:10dB 增益 10MHz 至 11GHz 3dB 带宽单端至差分射频放大器

封装:FBGA-200
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
Q6422XM3BDGVK-U

产品说明:低功耗 64Gbit LPDDR4x 动态随机存取存储器 (DRAM) IC

封装:FBGA-200
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
D2516ECMDXGJDI-U

产品说明:动态随机存取存储器 4Gb 96-ball FBGA DDR3L 1866 IT

封装:FBGA-96
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
K3LKBKB0BM-MGCP

产品说明:低功耗动态随机存取存储器IC

封装:315-FBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
K4UCE3Q4AA-MGCL

产品说明:用于移动设备的 64Gbit LPDDR4X 动态随机存储器 (DRAM) IC

封装:FBGA-200
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
K3LKDKD0CM-BGCP

产品说明:低功耗动态随机存取存储器IC

封装:496-FBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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