RCX450N20一款10V驱动型 N沟道功率MOSFET，电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
产品属性
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 80 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
系列: RCX450N20
配置: Single
下降时间: 70 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 210 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 52 ns
单位重量: 2 g
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一，总部所在地设在日本京都市，ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
BM63577S-VA
BM63577S-VA是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速反向恢复二极管一体化封装的智能电源模块（IPM）。
BM64378S-VA
BM64378S-VA是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速反向恢复二极管一体化封装的智能电源模块（IPM）。
BM64375S-VA
BM64375S-VA 600V IGBT智能功率模块 (IPM) 集成了栅极驱动器、自举二极管、IGBT和飞轮二极管。
BM63375S-VC
BM63375S-VC是由栅极驱动器、自举二极管、IGBT 和飞轮二极管组成的智能功率模块。
BM64374S-VA
BM64374S-VA 是由栅极驱动器、自举二极管、IGBT 和飞轮二极管组成的智能电源模块。
BM63574S-VC
罗姆半导体BM63574S-VC是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速反向恢复二极管一体化封装的智能电源模块(IPM)。电话咨询：86-755-83294757
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