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RCX450N20一款10V驱动型 N沟道功率MOSFET，电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

产品属性

制造商: ROHM Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 45 A

Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 80 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 40 W

通道模式: Enhancement

系列: RCX450N20

配置: Single

下降时间: 70 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 210 ns

工厂包装数量:  500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 90 ns

典型接通延迟时间: 52 ns

单位重量: 2 g

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