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BSC093N15NS5

产品说明:150V,OptiMOS™ N-通道功率 MOSFET 晶体管,PG-TDSON-8

封装:PG-TDSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDW20G120C5B

产品说明:1200 V 碳化硅肖特基二极管,采用 TO-247-3 封装

封装:PG-TO247-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL135N8F7AG
ST

产品说明:汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

封装:PowerFLAT™ 5x6
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STTH30RQ06GY
ST

产品说明:汽车级600 V、30 A超快软恢复二极管

封装:D2PAK
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW40N95K5
ST

产品说明:N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

封装:TO-247
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FSBB20CH60C
ON

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 600 V 20 A 27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)

封装:DIP
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VUO36-16NO8

产品说明:桥式整流器 Three Phase 标准 1.6 kV QC 端子 FO-B

封装:FO-B-5
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD500N18KOF

产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1800 V

封装:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD500N16KOF

产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1600 V

封装:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD430N22KOF

产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,2200 V

封装:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD425N18KOF

产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1800 V

封装:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD425N16KOF

产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1600 V

封装:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD140N22KOF

产品说明:采用压接式技术的34 mm晶闸管/二极管模块,2200 V

封装:BG-PB34-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD104N14KOFA

产品说明:采用压接式技术的20 mm晶闸管/二极管模块,1400 V

封装:BG-PB20-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD60N16SOF

产品说明:采用焊接技术的20 mm晶闸管/二极管模块,1600 V

封装:BG-SB20-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD390N18SOF

产品说明:采用焊接技术的50 mm晶闸管/二极管模块,1800 V

封装:BG-PB50SB-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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