品牌:
产品图片
规格型号
品牌
参数描述
起订量
库存
购买数量
单价
操作
STGW25M120DF3.pdf
产品说明:沟槽栅场截止、1200 V、25 A、低损耗 M 系列 IGBT,采用 TO-247 封装
封装:TO-247-3SGT65R65AL.pdf
产品说明:RF Mosfet 400 V 5W PowerFlat™(5x6)HV
封装:8-PowerVDFNRGT80TS65DGC13.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 70 A 234 W 通孔 TO-247G
封装:TO-247-3RGT00TS65DGC13.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247G
封装:TO-247-3RGTV80TS65GC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 78 A 234 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGTV60TK65GVC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 33 A 76 W 通孔 TO-3PFM
封装:TO-3PFMRGTVX2TS65DGC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 111 A 319 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGTH60TS65GC13.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 58 A 194 W 通孔 TO-247
封装:TO-247-3RGS80TS65DHRC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 73 A 272 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGS60TS65DHRC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 56 A 223 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGS00TS65EHRC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 88 A 326 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGW80TS65EHRC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGW80TS65HRC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGW60TS65CHRC11.pdf
产品说明:IGBT 650 V 64 A 178 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGW40TS65GC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 136 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3RGW40TK65GVC11.pdf
产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 27 A 61 W 通孔 TO-3PFM
封装:TO-3PFM电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号
官方二维码
友情链接: