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产品说明:150V,OptiMOS™ N-通道功率 MOSFET 晶体管,PG-TDSON-8
封装:PG-TDSON-8产品说明:1200 V 碳化硅肖特基二极管,采用 TO-247-3 封装
封装:PG-TO247-3产品说明:汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
封装:PowerFLAT™ 5x6产品说明:N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装
封装:TO-247产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 600 V 20 A 27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)
封装:DIP产品说明:桥式整流器 Three Phase 标准 1.6 kV QC 端子 FO-B
封装:FO-B-5产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1800 V
封装:BG-PB60AT-1产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1600 V
封装:BG-PB60AT-1产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,2200 V
封装:BG-PB60AT-1产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1800 V
封装:BG-PB60AT-1产品说明:采用压接式技术的60 mm晶闸管/二极管模块,1600 V
封装:BG-PB60AT-1产品说明:采用压接式技术的34 mm晶闸管/二极管模块,2200 V
封装:BG-PB34-1产品说明:采用压接式技术的20 mm晶闸管/二极管模块,1400 V
封装:BG-PB20-1产品说明:采用焊接技术的20 mm晶闸管/二极管模块,1600 V
封装:BG-SB20-1产品说明:采用焊接技术的50 mm晶闸管/二极管模块,1800 V
封装:BG-PB50SB-1电话咨询:86-755-83294757
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