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嵌入式和网络处理器

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STGWA40HP65FB2
ST

产品说明:650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装

封装:TO-247-3
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGHL40T120RWD-STD
ON

产品说明:IGBT - 功率,Co-PAK N 沟道,场截止 VII (FS7),可控硅,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGHL40T120RW-STD
ON

产品说明:IGBT - 电源,单路,N 沟道,场截止 VII (FS7),可控硅,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L40T120RW-STD
ON

产品说明:IGBT - 电源,单路,N 沟道,现场停止 VII (FS7),可控硅,TO247-4L

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L40T120RWD-STD
ON

产品说明:IGBT - 汽车级 1200 V 40 A,TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH8N250CHV

产品说明:高压IGBT 晶体管 2500 V 29 A 280 W 通孔 TO-247HV

封装:TO-247HV-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXGX320N60B3

产品说明:中频IGBT PT 600 V 500 A 1700 W 通孔 PLUS247™-3

封装:PLUS247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXBK55N300

产品说明:IGBT 晶体管 3000 V 130 A 625 W 通孔 TO-264AA

封装:TO-264-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB30H65DFB2
ST

产品说明:沟槽栅极场截止650 V、30 A高速HB2系列IGBT,采用D2PAK封装

封装:D2PAK-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STG200G65FD8AG
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 200 A 表面贴装型 SMD

封装:SMD
10起
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGD4H60DF
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 DPAK(TO-252)类型 C2

封装:TO-252
10起
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40H65FB
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线

封装:TO-247-3
10起
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKY120N65EH7XKSA1

产品说明:650V、120A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65ES5ATMA1

产品说明:IGBT 沟槽场截止 650V 62A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65EH5ATMA1

产品说明:IGBT 沟槽场截止 650V 55A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65DHRBTL

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650V 59A 228W 表面贴装型 TO-263L

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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