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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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操作

RGS00TS65EHRYC13

产品说明:650V 50A 场截止沟槽型IGBT

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGD6NC60HDT4
ST

产品说明:N沟道600 V、7 A超快IGBT

封装:TO-252-3
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5065G2-F085
ON

产品说明:IGBT晶体管 650 V 78 A 300 W 表面贴装型 TO-263(D2PAK)

封装:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5056G2-F085
ON

产品说明:IGBT晶体管 560 V 80 A 300 W 表面贴装型 TO-263(D2PAK)

封装:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW80H65DFB
ST

产品说明:650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

封装:TO-247
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW40N65H5

产品说明:650 V IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247 封装

封装:TO-247-3
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB19NC60KDT4
ST

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 A - 600 V - 短路耐用型 IGBT

封装:D2PAK-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKA15N60T

产品说明:600 V、15 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-220 全封装

封装:PG-TO220-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW50N65WR5

产品说明:650 V、50 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247 封装

封装:TO-247-3
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGD03N120S7

产品说明:1200V 3A IGBT 晶体管

封装:PG-TO252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH30N67PR7

产品说明:670V,30A,TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 晶体管,TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGZ50N65H5

产品说明:650V、85A、273W、TrenchStop™ 5 IGBT晶体管,TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGY140T120SWD
ON

产品说明:1200V、140A、IGBT 场截止 - IGBT 晶体管,通孔

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2HRC11

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247N-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2EHRC11

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247N-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2HRC15

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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