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STL220N6F7是意法半导体的N沟道功率MOSFET，属于STripFET™ F7系列，采用PowerFLAT™（5×6mm）封装，具有超低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于新能源汽车、工业电机驱动、服务器电源、光伏逆变器等高功率密度应用场景。

STL220N6F7 特点

超低导通电阻：1.2mΩ（典型值），大幅降低导通损耗，提高系统效率。

高电流承载能力：260A（连续漏极电流，Tc=25°C），适用于大功率开关应用。

高速开关性能：栅极电荷（Qg）仅98nC，支持500kHz以上开关频率，减少开关损耗。

高可靠性：雪崩能量耐受900mJ，增强系统鲁棒性，适用于严苛环境。

动态特性优化：反向传输电容（Crss）仅230pF，降低EMI辐射30dB以上。

低热阻设计：结壳热阻（Rthj-case）仅0.8°C/W，提升散热效率。

增强保护机制：过流、过温、短路保护，提高系统安全性。

封装优化：5×6mm PowerFLAT™封装，支持高功率密度设计。

银烧结工艺，降低热阻至传统焊接工艺的1/3。

STL220N6F7 产品参数

漏源电压（Vdss）：60V

连续漏极电流（Id）：120A（允许工作温度范围为 0℃至 150℃）

最大功率耗散（Pd）：188W

典型导通电阻（Rds（on））：1.2mΩ（10V，20A 时）

最大导通电阻（Rds（on））：1.4mΩ（10V，20A 时）

阈值电压（Vgs（th） ：最大 4V（250μA 时）

热特性：结温范围为 -55℃至 175℃，25°C 时的热阻（RthJC）为 0.5°C/W

栅极电荷（Qg）：最大 98nC（10V 时）

输入电容（Ciss）：最大 6600pF（25V 时）

反向传输电容（Crss）：230pF（25V 时）

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