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存储器 - 模块

温控器

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A5G35H055NT4

A5G35H055NT4

A5G35H055NT4.pdf

NXP

产品说明:3400-3600 MHz,7.6 W平均值,48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

封装:DFN-6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A3G26D055NT4

A3G26D055NT4

A3G26D055NT4.pdf

NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN(7x6.5)

封装:6-LDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6.pdf

NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 688 mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L

封装:OM-1230-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3.pdf

NXP

产品说明:快速射频功率 LDMOS 晶体管,720-960 MHz,平均 107 W,48 V

封装:OM-780-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3.pdf

NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 400 mA 720MHz ~ 960MHz 19.7dB 53dBm OM-780G-4L

封装:OM-780G-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6.pdf

NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L

封装:OM-1230-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2V07H400-04NR3

A2V07H400-04NR3

A2V07H400-04NR3.pdf

NXP

产品说明:射频 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 19.9dB 267W OM-780G-4L

封装:OM-780G-4L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A2T18S166W12SR3

A2T18S166W12SR3

A2T18S166W12SR3.pdf

NXP

产品说明:RF Mosfet 1.805GHz ~ 1.995GHz 38W NI-780-2S2L

封装:NI-780-2S2L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MMRF2010NR1

MMRF2010NR1

MMRF2010NR1.pdf

NXP

产品说明:射频 LDMOS 宽带集成功率放大器

封装:TO-270-14
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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