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IXFH60N50P3是一款 N沟道功率MOSFET，属于 HiPerFET™ Polar3™ 系列，专为高功率开关应用设计。其主要特点包括低导通电阻、快速开关性能、高耐压，适用于电机驱动、电源管理、工业控制等领域。

产品属性（IXFH60N50P3）

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 96 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.04 mW

通道模式: Enhancement

商标名: HiPerFET

配置: Single

下降时间: 8 ns

正向跨导 - 最小值: 60 S, 35 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 16 ns

典型应用（IXFH60N50P3）

电机驱动：工业电机、伺服系统、电动工具。

电源管理：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器。

汽车电子：12V/24V 系统（如电池管理、车载充电）。

工业控制：PLC、功率调节、电焊机。

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