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MRH25N12U3SR

产品说明:250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

封装:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH15N19U3SR

产品说明:150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

封装:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRH10N22U3SR

产品说明:增强型 N 沟道抗辐射MOSFET,150°C、100V U3

封装:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RCX450N20

产品说明:通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

封装:TO-220-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A

封装:TO-247-3
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

封装:D2PAK-7
10起
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40 V,0.92 m,300 A

封装:5-DFN
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTB7D3N15MC
ON

产品说明:MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封装:TO-263-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL175N4LF8AG
ST

产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL170N4LF8
ST

产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL305N4LF8AG
ST

产品说明:汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL165N10F8AG
ST

产品说明:N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL300N4LF8
ST

产品说明:N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL160N10F8
ST

产品说明:N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZH120R030M1T

产品说明:通孔 N 通道 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-11

封装:PG-TO247-4-11
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZHN120R160M1T

产品说明:通孔 N 通道 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) PG-TO247-4-14

封装:PG-TO247-4-14
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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