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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 PCI 接口 IC ​PCIe交换机 接口 - 多协议收发器 电力线收发器 锁相环 - PLL 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器 光度测量前端

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

USB连接器 圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 传感器模块 压力传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式和网络处理器

汽车网络处理器 安全处理器
首页 /分立半导体/N 沟道 MOSFET

品牌:

不限 Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

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规格型号

品牌

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操作

RCX450N20

RCX450N20

ROHM

产品说明：通孔 N 通道 200 V 45A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM

封装：TO-220-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NTHL099N60S5

NTHL099N60S5

ON

产品说明：MOSFET - 功率，单 N 沟道，SUPERFET V，易驱动，TO247-3L 600 V，99 m，33 A

封装：TO-247-3
10起
2500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NTBGS1D5N06C

NTBGS1D5N06C

ON

产品说明：MOSFET - 功率，单 N 沟道，D2PAK7 60 V，1.55 m，267 A

封装：D2PAK-7
10起
25000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NVMFS5C410NWFAFT1G

NVMFS5C410NWFAFT1G

ON

产品说明：MOSFET - 功率，单 N 沟道 40 V，0.92 m，300 A

封装：5-DFN
10起
15000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
NTB7D3N15MC

NTB7D3N15MC

ON

产品说明：MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封装：TO-263-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
STL175N4LF8AG

STL175N4LF8AG

ST

产品说明：N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
STL170N4LF8

STL170N4LF8

ST

产品说明：N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
STL305N4LF8AG

STL305N4LF8AG

ST

产品说明：汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET

封装：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
STL165N10F8AG

STL165N10F8AG

ST

产品说明：N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装

封装：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
STL300N4LF8

STL300N4LF8

ST

产品说明：N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET

封装：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
STL160N10F8

STL160N10F8

ST

产品说明：N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装：PowerFLAT-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
AIMZH120R030M1T

AIMZH120R030M1T

INFINEON

产品说明：通孔 N 通道 1200 V 69A（Tc） 326W（Tc） PG-TO247-4-11

封装：PG-TO247-4-11
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
AIMZHN120R160M1T

AIMZHN120R160M1T

INFINEON

产品说明：通孔 N 通道 1200 V 17A（Tc） 109W（Tc） PG-TO247-4-14

封装：PG-TO247-4-14
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
AIMZHN120R080M1T

AIMZHN120R080M1T

INFINEON

产品说明：通孔 N 通道 1200 V 31A（Tc） 169W（Tc） PG-TO247-4-14

封装：PG-TO247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
AIMZH120R010M1T

AIMZH120R010M1T

INFINEON

产品说明：通孔 N 通道 1200 V 202A（Tc） 750W（Tc） PG-TO247-4-11

封装：PG-TO247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
AIMZHN120R120M1T

AIMZHN120R120M1T

INFINEON

产品说明：通孔 N 通道 1200 V 22A（Tc） 133W（Tc） PG-TO247-4-14

封装：PG-TO247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
询价对比
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