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产品说明:增强型 N 沟道抗辐射MOSFET,150°C、100V U3
封装:SMD产品说明:通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
封装:TO-220-3产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A
封装:TO-247-3产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A
封装:D2PAK-7产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40 V,0.92 m,300 A
封装:5-DFN产品说明:MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A
封装:TO-263-3产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:通孔 N 通道 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-11
封装:PG-TO247-4-11产品说明:通孔 N 通道 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) PG-TO247-4-14
封装:PG-TO247-4-14电话咨询:86-755-83294757
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