安森美半导体 NVMFS5C410NWFAFT1G Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的40V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。
NVMFS5C410NWFAFT1G产品属性:
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 760 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 166 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NVMFS5C410N
配置: Single
下降时间: 173 ns
正向跨导 - 最小值: 190 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 162 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 227 ns
典型接通延迟时间: 54 ns
单位重量: 187 mg
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独…
AFGHL40T120RWD-STD
AFGHL40T120RWD-STD 采用新颖的现场停止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,采用 TO247 3 引线封装,具有良好的性能,导通电压低,开关损耗小,适用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑结构。特点 采用场截止技术的极高效沟道 最大结温 - TJ =175C 额定短路电压和低AFGHL40T120RW-STD
AFGHL40T120RW-STD车规级IGBT符合AEC-Q101标准,采用坚固的场终止型VII沟槽结构。AFGH4L40T120RW-STD
AFGH4L40T120RW-STD 符合 AEC Q101 标准的绝缘栅双极晶体管 (IGBT),采用坚固耐用、高性价比的场截止 VII 沟道结构。AFGH4L40T120RWD-STD
安森美AFGH4L40T120RWD-STD采用新颖的现场停止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,采用 TO247-4 引线封装,性能优异,导通电压低,开关损耗小,适用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑结构。特性 采用场截止技术的极高效沟道 最高结温 - TJ =175C 额定短路电压和低PCFFS50120AF
PCFFS50120AF 碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,开关性能更优越,可靠性更高。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为新一代功率半导体。系统优势包括效率最高、工作频率更快、功率密度更高、电磁干扰更小、系统尺寸和成本更低…NTH4L018N075SC1
安森美 NTH4L018N075SC1 EliteSiC MOSFET 采用全新技术,与硅器件相比,开关性能更优越,可靠性更高。电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: