NTBGS1D5N06C单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET,具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗,低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅,符合RoHS指令,工作温度范围为- 55°C至175°。
参数:
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :35A(Ta),267A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V,12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.55 毫欧 @ 64A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 318µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :6250 pF @ 30 V
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),211W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D2PAK)
封装/外壳: TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
典型应用
电动工具、电池驱动真空吸尘器
无人机/无人驾驶飞机、材料处理
BMS/ 存储、家庭自动化
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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AFGHL40T120RWD-STD
AFGHL40T120RWD-STD 采用新颖的现场停止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,采用 TO247 3 引线封装,具有良好的性能,导通电压低,开关损耗小,适用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑结构。特点 采用场截止技术的极高效沟道 最大结温 - TJ =175C 额定短路电压和低AFGHL40T120RW-STD
AFGHL40T120RW-STD车规级IGBT符合AEC-Q101标准,采用坚固的场终止型VII沟槽结构。AFGH4L40T120RW-STD
AFGH4L40T120RW-STD 符合 AEC Q101 标准的绝缘栅双极晶体管 (IGBT),采用坚固耐用、高性价比的场截止 VII 沟道结构。AFGH4L40T120RWD-STD
安森美AFGH4L40T120RWD-STD采用新颖的现场停止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,采用 TO247-4 引线封装,性能优异,导通电压低,开关损耗小,适用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑结构。特性 采用场截止技术的极高效沟道 最高结温 - TJ =175C 额定短路电压和低PCFFS50120AF
PCFFS50120AF 碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,开关性能更优越,可靠性更高。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为新一代功率半导体。系统优势包括效率最高、工作频率更快、功率密度更高、电磁干扰更小、系统尺寸和成本更低…NTH4L018N075SC1
安森美 NTH4L018N075SC1 EliteSiC MOSFET 采用全新技术,与硅器件相比,开关性能更优越,可靠性更高。电话咨询:86-755-83294757
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