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NTBGS1D5N06C单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

参数：

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 60 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：35A（Ta），267A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，12V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 毫欧 @ 64A，12V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 318µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78.6 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） ：6250 pF @ 30 V  

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），211W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： TO-263（D2PAK）  

封装/外壳： TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片） 

典型应用

电动工具、电池驱动真空吸尘器

无人机/无人驾驶飞机、材料处理

BMS/ 存储、家庭自动化

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。