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深圳市明佳达电子有限公司
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产品分类

集成电路（IC）

以太网 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

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分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

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存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /分立半导体/N 沟道 MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：STW40N95K5

商品名称：N 沟道 MOSFET

品牌：ST

年份：25+

封装：TO-247

货期：全新原装

库存数量：8000 件

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技术参数

制造商
ST
型号
STW40N95K5
封装
TO-247
描述
N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

产品描述

这款STW40N95K5超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新型专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计而成。其结果是大幅降低了导通电阻和超低栅极电荷，适用于要求超高功率密度和高效率的应用。


STW40N95K5 功能

业界最低的 RDS(on) x 面积

业界最佳性能系数 (FoM)

超低栅极电荷

100% 雪崩测试

齐纳保护


STW40N95K5 产品属性

产品种类: MOSFET

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 950 V

Id-连续漏极电流: 38 A

Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 93 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 450 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

配置: Single

下降时间: 10 ns

上升时间: 51 ns


STW40N95K5 应用

开关应用

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型号

品牌

封装

数量

描述

STL220N6F7

ST

PowerFLAT 5x6

1500

N沟道 60 V，典型值 1.2 mΩ，120 A STripFET F7 功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装

IXFH60N50P3

IXYS

TO-247-3

20000

通孔 N 通道 500 V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）

STL135N8F7AG

ST

PowerFLAT™ 5x6

15000

汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装

STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

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NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A（Tc） 430W（Tc） TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH10N22U3SR

Microchip

SMD

3000

增强型 N 沟道抗辐射MOSFET，150°C、100V U3

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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ST

ST

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