MRH10N22U3SR 功率 MOSFET 提供极高的可靠性和增强的抗辐射性。Microchip 抗辐射 MOSFET 具有低 RDS（on） 和低总栅极电荷。这些设备专为总电离剂量 （TID） 和单粒子环境 （SEE） 而开发。M6™ 在极端环境应用中表现出色，在高达 300 Krad TID 的辐射环境中仍符合规格要求。
产品属性：
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续漏极电流：22 A
Rds On-漏源导通电阻：38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.48 V
Qg-栅极电荷：34 nC
封装 / 箱体：U3
工作温度：- 55°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散：75 W
通道模式：Enhancement
商标：Microchip Technology
配置：Single
产品类型：MOSFETs
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
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