MRH25N12U3SR 是一款250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET。Microchip 的新型 M6TM 技术旨在为太空和军事应用的密封功率 MOSFET 提供极高的可靠性和增强的抗辐射性。这些设备专为总剂量和单事件环境 (SEE) 而开发。M6 将在极端环境应用中运行,并在大于 300Krad 总电离剂量 (TID) 的辐射环境中保持在规格范围内。
特征:
• 低 RDS(on)
• 快速切换
• 单事件强化
• 低栅极费用
• 简单的驱动
• 易于并联
• 密封的
• 表面贴装设计
• 陶瓷封装
• ESD 等级:3B 类 MIL-STD-750、TM 1020
应用:
• DC-DC 转换器
• 电机控制
• 开关模式电源
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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VSC7425XJG-02
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