IXTP160N10T描述:
IXYS Gen1 沟槽栅功率 MOSFET 非常适合低电压/高电流应用,需要极低的 RDS(ON),从而实现极低的功率耗散。此外,它们的工作结温范围很宽,从 -40°C 到 175°C,因此非常适合汽车应用和其他类似的严苛环境应用。
IXTP160N10T产品属性:
制造商:IXYS
产品种类: MOSFET
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 160 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 430 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
配置: Single
下降时间: 42 ns
高度: 9.15 mm
长度: 10.66 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 61 ns
系列: IXTP160N10
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 49 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
宽度: 4.83 mm
单位重量:2 g
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…
IXFH60N50P3
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IXXK100N60B3H1是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于10-30kHz的开关应用。该产品具有以下主要参数:IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 A电流 - 集电极脉冲 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻,优化用于实现低开关损耗。其特点和技术规格如下:特点经过优化用于低开关损耗正热系数VCE(sat)国际标准封装大电流处理能力功率密度大栅极驱动要求低反向并联sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V沟槽式XPT™绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻,优化用于实现低开关损耗。该产品具有以下主要规格:IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):112 A电…IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模块具有650V额定电压、180A电流范围以及低栅极电荷。该产品优化用于需要0至5kHz开关频率的应用,具有以下主要规格:IGBT 类型:-配置:单路电压 - 集射极击穿(最大值):650 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):340 A功率 - 最大值:940 W不同 Vge、Ic 时 Vce…电话咨询:86-755-83294757
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