IXTP160N10T - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：IXTP160N10T

商品名称：IGBT晶体管

品牌：IXYS

年份：24+

封装：TO-220-3

货期：全新原装

库存数量：15000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

IXYS

型号

IXTP160N10T

封装

TO-220-3

描述

通孔 N 通道 100 V 160A（Tc） 430W（Tc） TO-220-3

产品描述

IXTP160N10T描述：

IXYS Gen1 沟槽栅功率 MOSFET 非常适合低电压/高电流应用，需要极低的 RDS(ON)，从而实现极低的功率耗散。此外，它们的工作结温范围很宽，从 -40°C 到 175°C，因此非常适合汽车应用和其他类似的严苛环境应用。

IXTP160N10T产品属性：

制造商:IXYS

产品种类: MOSFET

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 160 A

Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 430 W

通道模式: Enhancement

商标名: HiPerFET

配置: Single

下降时间: 42 ns

高度: 9.15 mm

长度: 10.66 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 61 ns

系列: IXTP160N10

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 49 ns

典型接通延迟时间: 33 ns

宽度: 4.83 mm

单位重量:2 g

常见问题

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