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AI 处理器

电阻器网络

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E3M0075120D

产品说明:1.2kV 汽车碳化硅 N-通道功率 MOSFET 晶体管,TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0120090J

产品说明:900V 碳化硅 N-通道功率 MOSFET 晶体管,TO-263-7

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065090J

产品说明:900V N-通道增强模式 MOSFET 晶体管,TO-263-7

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065L

产品说明:MOSFET SiC,MOSFET,60mohm,650V,TOLL,T&R,工业级

封装:TOLL
10起
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065L

产品说明:碳化硅功率 MOSFET C3MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式

封装:TOLL
10起
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GTVA262701FA-V2-R2

产品说明:RF JFET 晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

封装:H-87265J-2
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CCB016M12GM3T

产品说明:1200 V,16 mΩ,碳化硅,六组模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EAB450M12XM3

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 450A(Tc) 底座安装

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB011A12GM3T

产品说明:1200 V、11 mΩ、碳化硅、半桥模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CBB032M12FM3T

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 39A(Tj) 底座安装

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB006A12GM3T

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 底座安装 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB011M12FM3T

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 105A(Tj) 底座安装 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CCB021M12FM3T

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 51A(Tj) 底座安装 模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CCB032M12FM3T

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 40A(Tj) 底座安装 模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB006M12GM3T

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 底座安装 模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAR600M12HN6

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 908A(Tc) 底座安装 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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