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AI 处理器

电阻器网络

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RGE60TS65DGC13

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE

封装:TO-247GE
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KWATL

产品说明:N 通道 SiC 电源 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWATL

产品说明:N 通道 SiC 电源 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWAHRTL

产品说明:汽车 N 通道 SiC 电源 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DWATL

产品说明:N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT2H12NZGC11

产品说明:1700 V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-3PFM-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3017ALGC11

产品说明:650V 118A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P4G103

产品说明:1200V, 567A, 内置半桥沟槽MOS的全SiC功率模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BU97520AKV-ME2

产品说明:LCD 驱动器 3wire+KEYOUT 2.7-6V VQFP80 线路/框架

封装:VQFP-80
10起
4000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2HRC11

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247N-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2EHRC11

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247N-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2HRC15

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2EHRC15

产品说明:用于汽车的 1200V 69A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G007MUV-LBE2

产品说明:Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率级IC

封装:VQFN-46
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWATL

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A(Tj) TO-263-7LA

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWAHRTL

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A(Tc) TO-263-7LA

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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