E3M0032120K - 1200V、32mohm N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管
主要特性
- 第三代 SiC MOSFET 技术
- 优化封装,具有独立的驱动器源引脚
- 漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米
- 阻塞电压高,导通电阻低
- 高速开关,低电容
- 快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)
- 无卤素,符合 RoHS 规范
- 通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求
应用
- 电机控制
- 电动汽车电池充电器
- 高压 DC/DC 转换器
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品牌
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描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括:可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。C3M0280090J的规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-247-3封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-263-7封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0350120J的规格:…C2M0080120D
C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET,具有同类中最低的开关损耗以及超高的开关频率,提供世界级的效率。这些MOSFET经过优化,适用于能效关键型高压应用,如高压电源、辅助电力电子电路、3-10kW太阳能逆变器、工业电机驱动器、大功率直流数据中心电源系统结构…C2M0025120D
C2M0025120D是一款1200 V, 25 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有同类中最低的开关损耗以及超高的开关频率,提供世界级的效率。这些MOSFET经过优化,适用于能效关键型高压应用,如高压电源、辅助电力电子电路、3-10kW太阳能逆变器、工业电机驱动器、大功率直流数据中心电源系统结…C3M0016120K1
C3M0016120K1是设计符合工业标准的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有高速开关特性,电容低,阻断电压高,导通电阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化,如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压…电话咨询:86-755-83294757
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