E3M0032120K - 1200V、32mohm N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管
主要特性
- 第三代 SiC MOSFET 技术
- 优化封装,具有独立的驱动器源引脚
- 漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米
- 阻塞电压高,导通电阻低
- 高速开关,低电容
- 快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)
- 无卤素,符合 RoHS 规范
- 通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求
应用
- 电机控制
- 电动汽车电池充电器
- 高压 DC/DC 转换器
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模块 ,属于YM系列六单元模块。该模块采用行业标准封装技术,优化电源端子布局,可降低电感并减少过冲电压,同时具备低开关损耗特性。核心参数技术:碳化硅(SiC)配置:6 N 沟道(三相逆变器)FET 功能:-漏源电压(…ECB2R8M12YM3
ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模块,属于YM系列六包三相模块,额定电压为1200V,额定电流460A,导通电阻2.8mΩ,采用 Gen 3 工艺,最高结温可达175C。该模块尺寸为154.5126.532mm,适用于汽车电子领域。主要规格产品:ECB2R8M12YM3技术:碳化硅(SiC)配…ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模块 ,属于六单元模块 (YM系列),适用于汽车电子领域。以下是其核心参数:技术:碳化硅(SiC)配置:6 N 沟道(三相逆变器)FET 功能:-漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)25C 时电流 - 连续漏极 (Id):700A不同 Id、Vgs 时…C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻塞电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合 RoHS 规范C3M0060065D 的优点更高的系统效率降低冷却要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术优化封装,具有独立的驱动源引脚漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素,符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃…电话咨询:86-755-83294757
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