商品名称：EAB450M12XM3
数据手册：
EAB450M12XM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封装：MODULE
货期：全新原装
库存数量：1000 件
Wolfspeed EAB450M12XM3 符合汽车标准的 1200 V、450 A 全碳化硅传导优化半桥模块。
技术特点
高功率密度足迹
高结温 (175 °C) 工作
低电感（6.7 nH）设计
采用传导优化的第三代 SiC MOSFET 技术
氮化硅绝缘体和铜基板
系统优势
端子布局允许直接连接母线，无需弯曲或套管，从而实现了简单、低电感的设计、 低电感设计。
隔离式集成温度传感器可提供高级温度保护。
专用漏极开尔文引脚可直接检测电压，以实现栅极驱动器过流保护。
应用
电机和牵引驱动器
汽车快速充电器
汽车测试设备
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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Wolfspeed（纽交所代码：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件，涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
GTVA262701FA-V2-R2
GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 W的碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于多标准蜂窝功率放大器应用。
CCB016M12GM3T
Wolfspeed WolfPACK ™ GM3碳化硅电源模块有半桥、全桥和六组（三相）配置，均可选择预涂HoneywellTM导热界面材料 (TIM)。这些模块适合用于中等功率（10kW至100+kW）的设计，占位面积小，支持开发更紧凑、可扩展的解决方案。这些封装是现有硅基模块的引脚兼容替代品，方便…
CAB011A12GM3T
Wolfspeed WolfPACK ™ GM3碳化硅电源模块有半桥、全桥和六组（三相）配置，均可选择预涂HoneywellTM导热界面材料 (TIM)。这些模块适合用于中等功率（10kW至100+kW）的设计，占位面积小，支持开发更紧凑、可扩展的解决方案。这些封装是现有硅基模块的引脚兼容替代品，方便…
CBB032M12FM3T
CBB032M12FM3T 1200 V、32 mΩ、碳化硅、全桥模块。产品属性技术： 碳化硅（SiC） 配置： 4 N 沟道（全桥） FET 功能： 碳化硅（SiC） 漏源电压（Vdss）： 1200V（1.2kV） 25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tj） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 44 毫欧 @ 30…
CAB006A12GM3T
CAB006A12GM3T 1200 V、6 MΩ、碳化硅、半桥模块。产品属性技术： 碳化硅（SiC） 配置： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： 碳化硅（SiC） 漏源电压（Vdss）： 1200V（1.2kV） 25C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：200A（Tj） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.9 毫欧…
CAB011M12FM3T
CAB011M12FM3T碳化硅电源模块有半桥、全桥和六组（三相）配置，均可选择预涂HoneywellTM导热界面材料 (TIM)。这些模块适合用于中等功率（10kW至100+kW）的设计，占位面积小，支持开发更紧凑、可扩展的解决方案。这些封装是现有硅基模块的引脚兼容替代品，方便随时进行系统…电话咨询：86-755-83294757
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