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GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 W的碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配、高效率和带无耳法兰的热增强表面贴装封装等特点。

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 

晶体管类型: HEMT 

技术: GaN-on-SiC 

工作频率: 2.496 GHz to 2.69 GHz 

增益: 17 dB 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 125 V 

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V 

Id-连续漏极电流: 12 A 

输出功率: 270 W 

最大漏极/栅极电压: - 

最小工作温度: - 

最大工作温度: + 225 C 

Pd-功率耗散: - 

安装风格: Flange Mount 

封装 / 箱体: H-87265J-2 

应用: 蜂窝功率放大器

正向跨导 - 最小值: - 

产品类型: RF JFET Transistors 

工厂包装数量: 250 

子类别: Transistors

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