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产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:NFC/RFID 标签和应答器 NFC/HF RFID 阅读器 IC
封装:UFQFPN-24产品说明:汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET
封装:PowerFLAT-4产品说明:N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
封装:PowerFLAT-4产品说明:射频微控制器 - MCU 超低功耗 Arm Cortex-M33 TZ MCU 100MHz 1Mbyte 闪存 BLE 5.3 802.15.4 Zigbe
封装:UFQFPN-32产品说明:射频微控制器 - MCU 超低功耗 Arm Cortex-M33 TZ MCU 100MHz 1Mbyte 闪存 BLE 5.3 802.15.4 Zigbe
封装:UFQFPN-48产品说明:射频微控制器 - MCU 无线 Arm Cortex-M33 Trust Zone MCU 100MHz 1Mbyte Flash BLE 5.4、ZigBee
封装:UFQFPN-32产品说明:带高速时钟的汽车用 256K 位串行 SPI 总线 EEPROM 存储器
封装:8-WFDFN电话咨询:86-755-83294757
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