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STL175N4LF8AG
ST

产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL170N4LF8
ST

产品说明:N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ST25R100-CMET
ST

产品说明:NFC/RFID 标签和应答器 NFC/HF RFID 阅读器 IC

封装:UFQFPN-24
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL305N4LF8AG
ST

产品说明:汽车 N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL165N10F8AG
ST

产品说明:N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL300N4LF8
ST

产品说明:N 沟道增强模式逻辑电平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL160N10F8
ST

产品说明:N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装

封装:PowerFLAT-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TSB952IDT
ST

产品说明:运算放大器 - 运放 高带宽(52 MHz),轨至轨输出,36 V

封装:SO-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STG5592QTR
ST

产品说明:低电压高带宽四路 SPDT 开关

封装:QFN16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VD6281TF46/1
ST

产品说明:光学传感器 紫外线(UV) I2C 6-BGA,WLCSP

封装:6-WLCSP
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32WBA54KGU6
ST

产品说明:射频微控制器 - MCU 超低功耗 Arm Cortex-M33 TZ MCU 100MHz 1Mbyte 闪存 BLE 5.3 802.15.4 Zigbe

封装:UFQFPN-32
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32WBA54CGU6
ST

产品说明:射频微控制器 - MCU 超低功耗 Arm Cortex-M33 TZ MCU 100MHz 1Mbyte 闪存 BLE 5.3 802.15.4 Zigbe

封装:UFQFPN-48
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32WBA54KGU7
ST

产品说明:射频微控制器 - MCU 无线 Arm Cortex-M33 Trust Zone MCU 100MHz 1Mbyte Flash BLE 5.4、ZigBee

封装:UFQFPN-32
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
M95256-DRMF3TG/K
ST

产品说明:带高速时钟的汽车用 256K 位串行 SPI 总线 EEPROM 存储器

封装:8-WFDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VN7003AHTR
ST

产品说明:具有电流感应模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用

封装:Octapak-7
10起
2222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VND7004AYTR
ST

产品说明:具有MultiSense模拟反馈的双通道高侧驱动器

封装:PowerSSO-36
10起
2222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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