C3M0060065L SiC MOSFET C3M采用TOLL封装,实现了TOLL封装的紧凑尺寸、低损耗和高功耗能力,支持高功率密度设计。
优势
• 降低开关损耗,尽量减少栅极振铃
• 提高系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
产品属性
制造商: Wolfspeed, Inc.
系列: C3M™
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 79 毫欧 @ 13.2A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.6V @ 3.64mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 15 V
Vgs(最大值): +19V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1170 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 131W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TOLL
该SiC MOSFET优化用于高性能电力电子应用,包括企业、服务器和电信电源、电动汽车充电系统、能量存储系统和电池管理系统。
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
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