商品名称:CAB006A12GM3T
数据手册:CAB006A12GM3T.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封装:MODULE
货期:全新原装
库存数量:1000 件
CAB006A12GM3T 1200 V、6 MΩ、碳化硅、半桥模块。
产品属性
技术: 碳化硅(SiC)
配置: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :200A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.9 毫欧 @ 200A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.6V @ 69mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 708nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20400pF @ 800V
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装: 模块
应用
直流-直流转换器
电动汽车充电器
高效转换器/逆变器
可再生能源
智能电网/并网分布式发电
系统优势
实现紧凑、轻便的系统
低开关和传导损耗,提高系统效率 和碳化硅的传导损耗
降低热要求和系统成本
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装
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