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AI 处理器

电阻器网络

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C3M0025065D

产品说明:650V 25mΩ 97A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065K

产品说明:650V、60mΩ、37A 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管,TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D20065H

产品说明:650 V, 20 A, TO-247-2 封装, 第6代分立碳化硅肖特基二极管

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D20065D

产品说明:650 V, 20 A, TO-247-3 封装, 第6代分立碳化硅肖特基二极管

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120K

产品说明:1200V 21mΩ 100A 第 3 代分立 SiC MOSFET

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D40065D

产品说明:650 V, 40 A, TO-247-3 封装, 第6代分立碳化硅肖特基二极管

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120D

产品说明:1200V 16mΩ 115A 第 3 代分立式碳化硅 (SiC) MOSFET

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C4D40120H

产品说明:1200V、40A 分立式碳化硅肖特基二极管,采用 TO-247-2 封装

封装:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D40065G

产品说明:650 V, 40 A, TO-263-2 封装, 第6代分立碳化硅肖特基二极管

封装:TO-263-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D50065H

产品说明:650V、50A 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,TO-247-2

封装:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB530M12BM3

产品说明:1200V 2.67mΩ 62mm 半桥碳化硅电源模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065H

产品说明:650 V, 16 A, TO-247-2 封装, 第6代分立碳化硅肖特基二极管

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB450M12XM3

产品说明:1200V 2.6 mΩ XM3 半桥碳化硅电源模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D25170H

产品说明:1700V、25A 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,TO-247-2

封装:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3D08060A

产品说明:600V 8A 第 3 代分立 SiC 肖特基二极管

封装:TO-220-2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065G

产品说明:650 V, 16 A, TO-263-2 封装, 第6代分立碳化硅肖特基二极管

封装:TO-263-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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