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C3M0045065L SiC MOSFET C3M™（采用TOLL封装）与标准硅MOSFET相比，导通电阻温度相关性要低得多。该MOSFET器件具有出色的开关速度和低导通损耗，这对于下一代电源在高功率下实现高效率至关重要。

特点

• 第三代 SiC MOSFET 技术

• 优化封装，具有独立的驱动源引脚

• 高阻塞电压，低导通电阻

•  高速开关，低电容

• 快速本征二极管，反向恢复 (Qrr) 低

• 无卤素，符合 RoHS 规范

规格

制造商： Wolfspeed, Inc.  

系列： C3M™  

FET 类型： N 通道  

技术： SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss）： 650 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：49A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 @ 17.6A，15V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 4.84mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC @ 15 V  

Vgs（最大值）： +19V，-8V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1621 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 164W（Tc）  

工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： TOLL  

应用

• 数据中心电源

• 电信电源

• 储能系统

• 太阳能（光伏）逆变器

• 高压 DC/DC 转换器

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