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产品说明:碳化硅 MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,21mΩ,650V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,13.5mohm,750V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、70 欧姆、650 V、M2、TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - 11 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200V,TNPC 拓扑,F2 封装
封装:PIM-29产品说明:带压配信号引脚的汽车 80V 双半桥 Mosfet 模块,APM17
封装:APM17-MFA产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装
封装:PIM-18产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F1 封装
封装:PIM-22产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装
封装:PIM-18产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑,F1 封装
封装:PIM-22产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A
封装:TO-247-3产品说明:6.5A 栅极驱动器 容性耦合 5000Vrms 1 通道 8-SOIC
封装:SOIC-8产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅(SiC)肖特基二极管 – EliteSiC 50A 1200V D3 TO-247-2L封装
封装:TO-247-2L产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40 V,0.92 m,300 A
封装:5-DFN电话咨询:86-755-83294757
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