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AI 处理器

电阻器网络

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操作

NCP51561BBDWR2G
ON

产品说明:5kVrms隔离式双通道4.5/9A栅极驱动器

封装:SOIC-16
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIP1SN0300A-QTI
ON

产品说明:CMOS 图像传感器,0.3 MP (VGA),全局快门

封装:LCC-48
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS9D6P04M8LT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 P 沟道 -40 V,9.5 mΩ,-77 A

封装:5-DFN
10起
18800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP3296MNTXG
ON

产品说明:40A 叠加式同步降压稳压器

封装:WQFN-34
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FDH055N15A
ON

产品说明:150V N 沟道功率 Trench® MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH100B120H3Q0PTG
ON

产品说明:1200V 双升压 IGBT 功率模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FDMS4D0N12C
ON

产品说明:120V 单 N-通道功率 MOSFET 晶体管

封装:PQFN-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTPF450N80S3Z
ON

产品说明:800V N-通道、SUPERFET III、功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NDSH25170A
ON

产品说明:1700V、25A 碳化硅(SiC)肖特基二极管

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FAN8811MNTXG
ON

产品说明:高频、高压侧和低压侧栅极驱动器

封装:WDFN-10
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCV51705MNTWG
ON

产品说明:单通道 6A 高速、低侧 SiC MOSFET 栅极驱动器

封装:QFN-24
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTP011N15MC
ON

产品说明:150V N-通道屏蔽栅极功率沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4LN040N65S3H
ON

产品说明:650V N 沟道、SUPERFET III、功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP1618HDR2G
ON

产品说明:高电压、多模功率因数控制器

封装:SOIC-9
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP1681BAD2R2G
ON

产品说明:创新型多模和连续传导模式功率因数校正控制器 IC

封装:SOIC-20
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCS21912DMR2G
ON

产品说明:2MHz 带宽、低噪声、精密运算放大器

封装:MSOP-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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