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AI 处理器

电阻器网络

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NXH011T120M3F2PTHG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - 11 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200V,TNPC 拓扑,F2 封装

封装:PIM-29
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV08H250DPT2
ON

产品说明:带压配信号引脚的汽车 80V 双半桥 Mosfet 模块,APM17

封装:APM17-MFA
10起
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH800H120L7QDSG
ON

产品说明:Qdual3 1200V 800A 半桥 IGBT 模块

封装:PIM-11
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV08B800DT1
ON

产品说明:汽车 80V、2 通道背靠背 Mosfet 模块,APM17

封装:APM17-MDC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH030P120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH030F120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015P120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH015F120M3F1PTG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑,F1 封装

封装:PIM-22
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL099N60S5
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A

封装:TO-247-3
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090BDWR2G
ON

产品说明:6.5A 栅极驱动器 容性耦合 5000Vrms 1 通道 8-SOIC

封装:SOIC-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS1D5N06C
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

封装:D2PAK-7
10起
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NDSH50120C
ON

产品说明:碳化硅(SiC)肖特基二极管 – EliteSiC 50A 1200V D3 TO-247-2L封装

封装:TO-247-2L
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C410NWFAFT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40 V,0.92 m,300 A

封装:5-DFN
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTB7D3N15MC
ON

产品说明:MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封装:TO-263-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTD360N65S3H
ON

产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FAST,650 V,10 A,360 欧姆,DPAK

封装:TO-252-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090EDWR2G
ON

产品说明:隔离式大电流 IGBT/MOSFET 栅极驱动器

封装:SOIC-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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