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安森美NVH4L025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET 具有出色的开关性能，与硅相比可靠性更高。安森美NVH4L025N065SC1具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

特点

• 典型值 RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V

• 典型值 RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V

• 超低栅极电荷 (QG(tot) = 164 nC)

• 低电容（Coss = 278 pF）

典型应用

• 汽车板载充电器

• 用于电动汽车/混合动力汽车的车载 DC/DC 转换器

NVH4L025N065SC1产品属性

产品种类: MOSFET

技术: SiC

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 99 A

Rds On-漏源导通电阻: 28.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.3 V

Qg-栅极电荷: 164 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 348 W

通道模式: Enhancement

商标名: EliteSiC

系列: NVH4L025N065SC1

配置: Single

下降时间: 8 ns

正向跨导 - 最小值: 27 S

上升时间: 19 ns

典型关闭延迟时间: 32 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

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