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产品说明:CMOS 图像传感器 5120H x 3840V 1.4µm x 1.4µm
封装:PBGA-78产品说明:带全局快门的 1/2.6 英寸 2.3 百万像素 CMOS 数字图像传感器
封装:ODCSP-83产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 33A(Tc) 254.2W(Tc) TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅(SiC)模块 1200V 80mΩ 20A 三相桥式电源模块
封装:APM-32产品说明:碳化硅(SiC)模块 EliteSiC,10 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V 底座安装 18-PIM
封装:PIM-18产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC,28 mohm,1700 V,M1,D2PAK-7L
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 70 mohm, 650 V, M2, D2PAK−7L
封装:D2PAK−7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 EliteSiC, 60mohm, 650 V, M2, TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL
封装:TOLL产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
封装:模具产品说明:IGBT 模块 1000 V 164 A 396 W 底座安装 50-PIM(93x47)碳化硅二极管
封装:PIM-50电话咨询:86-755-83294757
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