安森美 NVH4L023N065M3S EliteSiC 650V M3S MOSFET 采用全新技术，与硅相比，开关性能更优越，可靠性更高。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更小的 EMI 和更小的系统尺寸。
特性
典型 RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V
超低栅极电荷 (QG(tot) = 69 nC)
高速开关，低电容（Coss = 153 pF）
100% 通过雪崩测试
具备 AEC-Q101 认证和 PPAP 能力
该器件不含卤化物，符合 RoHS 规定的豁免 7a、无铅 2LI（在二级互连上）
应用
汽车板载充电器
用于电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC-DC 转换器
型号
品牌
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描述
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