NVHL1000N170M1碳化硅(SiC)MOSFET是一款1700V M1平面器件,优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该N沟道ElteSiC MOSFET由20V栅极驱动时具有最佳性能,但也可与18V栅极驱动配合使用。
特点
• 典型值 RDS(on) = 960 m @ VGS = 20 V
• 超低栅极电荷 (QG(tot) = 14 nC)
• 高速开关,低电容(Coss = 11 pF)
• 100% 通过雪崩测试
• 通过 AEC-Q101 认证和 PPAP 认证
典型应用
• 反激式转换器
规格
FET 类型: N 通道
技术: SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss): 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :4.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.43 欧姆 @ 2A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.3V @ 640µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值) 48W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
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