AFGHL40T120RW-STD车规级IGBT符合AEC-Q101标准，采用坚固的场终止型VII沟槽结构。安森美半导体AFGHxL40T IGBT确保耐用性和高性价比。该IGBT可在高需求开关情况下提供出色的性能，具有低导通电压和开关损耗。该器件非常适合用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑。
器件规格
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3LD
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 468 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: AFGHL40T120RW-STD
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA
应用
汽车电子压缩机 / 汽车电动车 PTC 加热器 / OBC
型号
品牌
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描述
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