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嵌入式和网络处理器

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TW083Z65C

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 650 V 30A 111W TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTD360N65S3H
ON

产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FAST,650 V,10 A,360 欧姆,DPAK

封装:TO-252-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRC15

产品说明:1200V N通道 4引脚封装 SiC(碳化硅)MOSFET

封装:TO-247-4L
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065L

产品说明:MOSFET SiC,MOSFET,60mohm,650V,TOLL,T&R,工业级

封装:TOLL
10起
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065L

产品说明:碳化硅功率 MOSFET C3MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式

封装:TOLL
10起
12500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRHRC15

产品说明:1200V, 55A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

封装:TO-247-4L
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3030ARHRC15

产品说明:650V, 70A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

封装:TO-247-4L
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4SC075018B7S

产品说明:SiC碳化硅场效应晶体管 (SiC FET) 采用D2PAK-7L封装

封装:D2PAK-7L
10起
9000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4SC075011B7S

产品说明:SiC碳化硅场效应晶体管 (SiC FET) 采用D2PAK-7L封装

封装:D2PAK-7L
10起
9000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R140M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R030M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R020M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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