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产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET 650 V 30A 111W TO-247-4
封装:TO-247-4产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FAST,650 V,10 A,360 欧姆,DPAK
封装:TO-252-3产品说明:1200V N通道 4引脚封装 SiC(碳化硅)MOSFET
封装:TO-247-4L产品说明:MOSFET SiC,MOSFET,60mohm,650V,TOLL,T&R,工业级
封装:TOLL产品说明:碳化硅功率 MOSFET C3MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式
封装:TOLL产品说明:1200V, 55A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET
封装:TO-247-4L产品说明:650V, 70A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET
封装:TO-247-4L产品说明:SiC碳化硅场效应晶体管 (SiC FET) 采用D2PAK-7L封装
封装:D2PAK-7L产品说明:SiC碳化硅场效应晶体管 (SiC FET) 采用D2PAK-7L封装
封装:D2PAK-7L产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4电话咨询:86-755-83294757
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