品牌:
产品图片
规格型号
品牌
参数描述
起订量
库存
购买数量
单价
操作
产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,13.5mohm,750V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、960 欧姆、1700 V、M1、TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,12 欧姆,650V,M2,TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC,13 欧姆,1200 V,M3S
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,70 欧姆,650V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC,13 欧姆,1200 V,M3S
封装:Die产品说明:碳化硅 MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,21mΩ,650V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,13.5mohm,750V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、70 欧姆、650 V、M2、TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FAST,650 V,10 A,360 欧姆,DPAK
封装:TO-252-3产品说明:表面贴装型 N 通道 1700 V 4.3A(Tc) 51W(Tc) D2PAK-7
封装:D2PAK-7产品说明:表面贴装型 N 通道 1200 V 36A(Tc) 172W(Tc) D2PAK-7
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,20 mohm,1200 V,M1,TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、20 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L
封装:D2PAK-7电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: