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嵌入式和网络处理器

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C3M0060065J

产品说明:650V 60mΩ 36A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120D

产品说明:1200V 32mΩ 63A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025065D

产品说明:650V 25mΩ 97A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120K

产品说明:1200V 21mΩ 100A 第 3 代分立 SiC MOSFET

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120D

产品说明:1200V 16mΩ 115A 第 3 代分立式碳化硅 (SiC) MOSFET

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L018N075SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,13.5mohm,750V,M2,TO247-4L

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L023N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L023N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL1000N170M1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、960 欧姆、1700 V、M1、TO-247-3L

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL015N065SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,12 欧姆,650V,M2,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L013N120M3S
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC,13 欧姆,1200 V,M3S

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L095N065SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,70 欧姆,650V,M2,TO247-4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTCR013N120M3S
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC,13 欧姆,1200 V,M3S

封装:Die
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L025N065SC1
ON

产品说明:碳化硅 MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,21mΩ,650V,M2,TO247-4L

封装:TO-247-4
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L018N075SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,13.5mohm,750V,M2,TO247-4L

封装:TO-247-4
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L095N065SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、70 欧姆、650 V、M2、TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
2990
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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