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UJ4SC075018B7S是一款 750V、18mW G4 SiC FET。它采用独特的 “级联 ”电路配置，将常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，从而产生常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、SiC MOSFET 或硅超结器件。该器件采用 D2 PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。

规格

FET 类型： N 通道  

技术： SiCFET（共源共栅 SiCJFET）  

漏源电压（Vdss）： 750 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 @ 50A，12V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V @ 10mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37.8 nC @ 15 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1414 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值） ：259W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： D2PAK-7  

封装/外壳： TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA  

典型应用

车载充电器

软开关DC-DC变换器

电池充电（直流快充和工业）

IT/服务器电源

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