TW083Z65C - 碳化硅 (SiC) MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：TW083Z65C

商品名称：碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌：TOSHIBA

年份：24+

封装：TO-247-4

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

制造商

TOSHIBA

型号

TW083Z65C

封装

TO-247-4

描述

碳化硅 (SiC) MOSFET 650 V 30A 111W TO-247-4

TW083Z65C是一款650V 第三代碳化硅MOSFET，设计用于大功率工业应用，例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。

规格

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：118 毫欧 @ 15A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：873 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：111W（Tc）

工作温度：175°C

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L（X）

封装/外壳：TO-247-4

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