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AI 处理器

电阻器网络

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SCTWA70N120G2V-4
ST

产品说明:1200V 21 mΩ碳化硅功率MOSFET晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT011HU75G3AG
ST

产品说明:750V 11.4mΩ汽车碳化硅功率MOSFET晶体管

封装:HU3PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT025W120G3AG
ST

产品说明:1200 V 汽车级碳化硅功率 MOSFET,27mΩ,56 A,HiP247

封装:HiP247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTW100N120G2AG
ST

产品说明:1200V 汽车碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:HiP247
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT070H120G3-7
ST

产品说明:1200V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:H2PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT040TO65G3
ST

产品说明:650V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-LL
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT027H65G3AG
ST

产品说明:650V 汽车碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:H2PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT025H120G3AG
ST

产品说明:1200V 汽车碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:H2PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT018W65G3-4AG
ST

产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V,典型值 20 mΩ,55 A采用 HiP247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTWA40N12G24AG
ST

产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 75 mΩ,33 A 采用 HiP247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT055W65G3-4AG
ST

产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V,典型值 58 mΩ,30 A 采用 HiP247-4 封装

封装:HiP247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTH100N65G2-7AG
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 650 V 95A(Tc) 360W(Tc) H2PAK-7

封装:H2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT060HU75G3AG
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 750 V 30A(Tc) 185W(Tc) HU3PAK

封装:HU3PAK
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT055HU65G3AG
ST

产品说明:汽车级 表面贴装型 N 通道 650V 30A(Tc) 185W(Tc)HU3PAK

封装:HU3PAK
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTW40N120G2VAG
ST

产品说明:汽车级 通孔 N 通道 1200V 33A(Tc) 290W(Tc)HiP247

封装:HiP247
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTH60N120G2-7
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 1200V 60A(Tc) 390W(Tc) H2PAK-7

封装:H2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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