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NTHL032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC180SMA120SDT

产品说明:1200V, 180 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SDT

产品说明:700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC360SMA120SCT

产品说明:1200V,360 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:PSMT-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA120SCT

产品说明:1200V,80 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:PSMT-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC090SMA070SCT

产品说明:700V,90 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:PSMT-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SCT

产品说明:700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:PSMT-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC400SMA330B4N

产品说明:3300 V,400 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA330B4N

产品说明:3300 V,80 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC040SMA120B4N

产品说明:1200V,40 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC035SMA070B4N

产品说明:700V,35 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC025SMA120B4N

产品说明:1200V,25 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC015SMA070B4N

产品说明:700V,15 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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