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产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L
封装:D2PAK-7产品说明:1200V, 180 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:TO-263-7产品说明:700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:TO-263-7产品说明:1200V,360 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:PSMT-16产品说明:1200V,80 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:PSMT-16产品说明:700V,90 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:PSMT-16产品说明:700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:PSMT-16产品说明:3300 V,400 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:TO-247-4产品说明:3300 V,80 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:TO-247-4产品说明:1200V,40 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:TO-247-4产品说明:700V,35 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:TO-247-4产品说明:1200V,25 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
封装:TO-247-4产品说明:700V,15 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET
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