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深圳市明佳达电子有限公司
型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 功率放大器模块 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器 光度测量前端 隔离放大器 数字显示控制器 数字控制器 音频处理器 光伏产品 衰减器 驱动放大器 碳化硅氮化镓功率放大器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频Soc

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器 - 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 光学传感器 - 环境光 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 光学传感器 - 反射式 - 逻辑输出 传感器模块 压力传感器 电流传感器 电容触摸传感器 板机接口霍耳效应/磁性传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

隔离器

光学仿真器 数字隔离器 光隔离器 - 逻辑输出 隔离器 - 栅极驱动器 光隔离器 - 晶体管，光电输出
首页 /集成电路（IC）/功率器件/碳化硅 (SiC）/碳化硅 (SiC) MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IMBG120R140M1HXTMA1

商品名称：晶体管

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：TO-263-7

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IMBG120R140M1HXTMA1
封装
TO-263-7
描述
采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

产品描述

IMBG120R140M1HXTMA1 CoolSiC™ 1200V、140 mΩ SiC MOSFET 采用 TO-263-7 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺制造，经过优化，兼具性能和工作可靠性。


特点

开关损耗极低

短路耐受时间为 3 µs

完全可控的 dV/dt

基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V

对寄生导通具有鲁棒性，可采用 0 V 关断栅极电压

稳健的体二极管可实现硬换向

采用 .XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能

封装爬电距离和间隙大于 6.1 毫米

感应引脚可优化开关性能


优点

提高效率

实现更高频率

提高功率密度

减少冷却工作量

降低系统复杂性和成本

SMD 封装可直接集成到 PCB 中，自然对流冷却，无需额外的散热片


应用

单相组串逆变器解决方案

电动汽车充电

工业电机驱动和控制

光伏

伺服电机驱动和控制


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

IMBG120R060M1HXTMA1

INFINEON

TO-263-7

1000

采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMBG120R350M1HXTMA1

INFINEON

TO-263-7

1000

采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMBG120R030M1HXTMA1

INFINEON

TO-263-7

1000

采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMW120R030M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-3

1000

采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMW120R020M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-3

1000

采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMZ120R030M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMZA120R007M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、7mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMZA120R020M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

UJ4C075018K3S

Qorvo

TO-247-3

2000

MOSFET 750V、18mohm G4 SiC FET 晶体管

SCT018W65G3-4AG

ST

TO-247-4

1000

汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V，典型值 20 mΩ，55 A采用 HiP247-4 封装

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

    答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗？

    答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…

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