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IDWD120E120D7

产品说明:软开关1200 V、发射极控制7硅二极管 TO-247-2

封装:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FP50R12N2T7B76

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 50 A 底座安装 AG-ECONO2B

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS3D0P04M8LT1G
ON

产品说明:功率 MOSFET,单 P 沟道,-40 V,2.7 mΩ,-183 A

封装:5-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS2D3P04M8LT1G
ON

产品说明:功率 MOSFET,单路,P 沟道,-40 V,2.2mΩ,-222 A

封装:5-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EFC4K110NUZTDG
ON

产品说明:双 N 沟道功率 MOSFET 24V,25A,2.95mΩ

封装:10-WLCSP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFD5C672NLT1G
ON

产品说明:双 N 沟道,功率 MOSFET,60V,49A,11.9mΩ

封装:8-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS6H801NLT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,2.7mΩ

封装:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R140M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R030M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R020M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R007M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、7mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R020M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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