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产品说明:软开关1200 V、发射极控制7硅二极管 TO-247-2
封装:TO-247-2产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 50 A 底座安装 AG-ECONO2B
封装:Module产品说明:功率 MOSFET,单 P 沟道,-40 V,2.7 mΩ,-183 A
封装:5-DFN产品说明:功率 MOSFET,单路,P 沟道,-40 V,2.2mΩ,-222 A
封装:5-DFN产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,2.7mΩ
封装:8-PowerTDFN产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、7mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4电话咨询:86-755-83294757
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