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深圳市明佳达电子有限公司
型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 功率放大器模块 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器 光度测量前端 隔离放大器 数字显示控制器 数字控制器 音频处理器 光伏产品 衰减器 驱动放大器 碳化硅氮化镓功率放大器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频Soc

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器 - 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 光学传感器 - 环境光 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 光学传感器 - 反射式 - 逻辑输出 传感器模块 压力传感器 电流传感器 电容触摸传感器 板机接口霍耳效应/磁性传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

隔离器

光学仿真器 数字隔离器 光隔离器 - 逻辑输出 隔离器 - 栅极驱动器 光隔离器 - 晶体管，光电输出
首页 /集成电路（IC）/功率器件/碳化硅 (SiC）/碳化硅 (SiC) MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IMBG120R060M1HXTMA1

商品名称：晶体管

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：TO-263-7

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IMBG120R060M1HXTMA1
封装
TO-263-7
描述
采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

产品描述

IMBG120R060M1HXTMA1 CoolSiC™ 1200V、60 mΩ SiC MOSFET 采用 TO-263-7 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺制造，经过优化，兼具性能和工作可靠性。


特点

开关损耗极低

短路耐受时间为 3 µs

完全可控的 dV/dt

基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V

对寄生导通具有鲁棒性，可采用 0 V 关断栅极电压

稳健的体二极管可实现硬换向

.XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能

封装爬电距离和间隙大于 6.1 毫米

感应引脚可优化开关性能


优点

提高效率

实现更高频率

提高功率密度

减少冷却工作量

降低系统复杂性和成本

SMD 封装可直接集成到 PCB 中，自然对流冷却，无需额外的散热片


应用

48 V 配电

电动汽车充电

通用电机驱动--变频和变压

工业电机驱动和控制

微型逆变器解决方案


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型号

品牌

封装

数量

描述

IMBG120R140M1HXTMA1

INFINEON

TO-263-7

1000

采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMBG120R350M1HXTMA1

INFINEON

TO-263-7

1000

采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMBG120R030M1HXTMA1

INFINEON

TO-263-7

1000

采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMW120R030M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-3

1000

采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMW120R020M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-3

1000

采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMZ120R030M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMZA120R007M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、7mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

IMZA120R020M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

UJ4C075018K3S

Qorvo

TO-247-3

2000

MOSFET 750V、18mohm G4 SiC FET 晶体管

SCT018W65G3-4AG

ST

TO-247-4

1000

汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V，典型值 20 mΩ，55 A采用 HiP247-4 封装

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

    答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗？

    答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…

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