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产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-263-7产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、7mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管
封装:TO-247-4产品说明:通孔 N 通道 650V 58A(Tc) 197W(Tc) PG-TO247-3-41
封装:PG-TO247-3产品说明:通孔 N 通道 650V 46A(Tc) 176W(Tc) PG-TO247-3-41
封装:PG-TO247-3产品说明:通孔 N 通道 650V 39A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-4-3
封装:PG-TO247-4-3产品说明:表面贴装型 N 通道 650V 45A(Tc) 183W(Tc) PG-TO263-7-12
封装:PG-TO263-7-12产品说明:表面贴装型 N 通道 650V 39A(Tc) 161W(Tc) PG-TO263-7-12
封装:PG-TO263-7-12产品说明:表面贴装型 650 V 50 A 碳化硅MOSFET PG-HSOF-8-1
封装:PG-HSOF-8-1产品说明:表面贴装型 650 V 61A 碳化硅MOSFET PG-HSOF-8-1
封装:PG-HSOF-8-1电话咨询:86-755-83294757
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