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嵌入式和网络处理器

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IMBG120R140M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1HXTMA1

产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R030M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R020M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R007M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、7mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R020M1HXKSA1

产品说明:采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、20mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R030M1HXKSA1

产品说明:通孔 N 通道 650V 58A(Tc) 197W(Tc) PG-TO247-3-41

封装:PG-TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R039M1HXKSA1

产品说明:通孔 N 通道 650V 46A(Tc) 176W(Tc) PG-TO247-3-41

封装:PG-TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R048M1HXKSA1

产品说明:通孔 N 通道 650V 39A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-4-3

封装:PG-TO247-4-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R048M1HXTMA1

产品说明:表面贴装型 N 通道 650V 45A(Tc) 183W(Tc) PG-TO263-7-12

封装:PG-TO263-7-12
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R057M1HXTMA1

产品说明:表面贴装型 N 通道 650V 39A(Tc) 161W(Tc) PG-TO263-7-12

封装:PG-TO263-7-12
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT65R048M1HXUMA1

产品说明:表面贴装型 650 V 50 A 碳化硅MOSFET PG-HSOF-8-1

封装:PG-HSOF-8-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT65R039M1HXUMA1

产品说明:表面贴装型 650 V 61A 碳化硅MOSFET PG-HSOF-8-1

封装:PG-HSOF-8-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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