NXH400B100H4Q2F2SG - SiC二极管模块 - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：NXH400B100H4Q2F2SG

商品名称：SiC二极管模块

品牌：ON

年份：24+

封装：PIM-50

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

型号

NXH400B100H4Q2F2SG

封装

PIM-50

描述

IGBT 模块 1000 V 164 A 396 W 底座安装 50-PIM（93x47）碳化硅二极管

产品描述

NXH400B100H4Q2F2SG是一款包含双通道快速电容升压的电源模块。集成的场截止沟槽IGBT和Si/SiC二极管提供更低的传导损耗和开关损耗，使设计人员能够实现高效率和出色的可靠性。该模块设计用于太阳能逆变器和能量存储系统应用。

NXH400B100H4Q2F2SG的规格：

产品：Boost Power Modules

配置：IGBT Inverter

集电极—发射极最大电压 VCEO：1 kV

集电极—射极饱和电压：1.88 V

在25 C的连续集电极电流：164 A

栅极—射极漏泄电流：1 uA

Pd-功率耗散：396 W

封装 / 箱体：PIM-50

最小工作温度：- 40°C

最大工作温度：+ 175°C

封装：Tray

商标：onsemi

栅极/发射极最大电压：30 V

安装风格：Chassis Mount

产品类型：IGBT Modules

系列：NXH400B100H4Q2F2SG

工厂包装数量：36

子类别：IGBTs

技术：Si

商标名：EliteSiC

常见问题

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