商品名称:N 沟道功率MOSFET晶体管
品牌:INFINEON
年份:24+
封装:PG-WHSON-8
货期:全新原装
库存数量:2000 件
IQE008N03LM5SC 属于 Source-Down 系列,RDS(on) 为 0.85 mOhm。Source-Down 技术采用翻转硅芯片,在元件内部倒置。
它提高了散热能力,改善了功率密度和布局可能性。双面冷却封装的耗散功率是过模封装的三倍,并提供标准和中心栅基底面。
IQE008N03LM5SC 的特点
RDS(on) 大幅降低达 30
与 PQFN 封装相比,改善了 RthJC
标准和中心栅基底面
新的优化布局可能性
IQE008N03LM5SC 的优势
高功率密度和高性能
优异的热性能
高效布局,节省空间
简化 MOSFET 并行化
改善 PCB 损耗
减少寄生
IQE008N03LM5SC 的应用
驱动
SMPS
服务器
电信
电池管理
型号
品牌
封装
数量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IPC100N04S5-2R8
IPC100N04S5-2R8是一款汽车级 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于 OptiMOS™-5 系列,采用 PG-TDSON-8 封装形式IMW65R007M2H
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ISC055N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常电平在竞争激烈的 150 V 市场中创造了新的性能水平。OptiMOS™ 6 150 V 技术旨在满足高、低开关频率应用以及硬开关和软开关的要求。ISC055N15NM6 的特性极低的 RDS(on)FOMg 比 OptiMOS™ 5 低 20150 V 时的业界最低 Qrr与 OptiMOS™ISC044N15NM6
ISC044N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常电平在竞争激烈的 150 V 市场中创造了新的性能水平。OptiMOS™ 6 150 V 技术旨在满足高、低开关频率应用以及硬开关和软开关的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS™ 5 低 41FOMg 比 OptiMOS™ 5 低 20150 V 时的业界最低 QrIAUTN08S5N012L
IAUTN08S5N012L 是 80V 1.15mΩ 或 9.0mΩ N 沟道 OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET 晶体管。IAUTN08S5N012L 的特点一个封装中包含两种 MOSFET!线性 FET 和低 RDS(on) FET 类型LINFET 开关速度慢,限制电流ONFET 用于限制稳态损耗LINFET 具有增强的 SOA严格的 VGS(th) 范围,适合…电话咨询:86-755-83294757
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