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IPD70R360P7S 是英飞凌推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，基于先进的 Trench MOSFET 技术，融合了 700V CoolMOS™ P7 超结技术，具备超低导通电阻和快速开关特性，专为高效率功率转换应用设计。该产品广泛适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域，能够显著提升系统效率和功率密度。

技术参数——IPD70R360P7S

漏源电压：700V

连续漏极电流：12.5A

导通电阻：360mΩ@10V,3A

栅极电荷：8.5nC

输入电容：517pF

工作温度范围：-40℃~+150℃

封装类型 ：TO-252-3

产品特性——IPD70R360P7S

•低导通损耗 ：极低的导通电阻，可降低功率损耗，提升系统效率。

•快速开关速度 ：适用于高频工作环境，有助于减小磁性元件尺寸，实现更高功率密度。

•高耐压能力 ：700V 耐压，确保在高电压应用场景中的可靠性。

•出色的热性能 ：优化的封装设计，能够有效散热，保证器件在高功率工作时的稳定性。

•集成保护功能 ：内置集成保护齐纳二极管，增强器件的抗瞬态过压能力。

优势——IPD70R360P7S

•成本竞争力的技术

•更低的温度

•更高的静电放电耐受性

•在更高开关频率下实现效率提升

•支持高功率密度设计和小型化结构

潜在应用——IPD70R360P7S

•推荐用于反激式拓扑结构，例如充电器、适配器、照明应用等。

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