BSC028N06LS3G是一款N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TDSON-8 封装。BSC028N06LS3G OptiMOS™ 60 V 是服务器、台式机和平板充电器等开关模式电源 (SMPS) 同步整流的理想选择。
BSC028N06LS3G主要特性:
低导通电阻 :最大导通电阻(RDS(on))为 2.8 毫欧姆(VGS=10V,ID=50A),有助于降低导通损耗,提高电源效率。
高电流承载能力 :连续漏极电流(ID)最大可达 100 安培,能够满足各种高电流应用的需求。
快速开关速度 :具备快速的开关速度,能够有效降低开关损耗,提高电路效率。
优异的热稳定性 :采用 TDSON-8 封装,具有良好的热特性,能够有效散热,确保器件在高功率应用中保持稳定工作。
宽工作温度范围 :工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。
BSC028N06LS3G技术参数:
漏源电压(VDS) :60V
栅源电压(VGS) :范围为 -20V 至 +20V
耗散功率(Ptot) :最大 139W(TC=25°C)
输入电容(Ciss) :10000pF(VDS=30V)
反向传输电容(Crss) :2.3nF(VDS=30V)
阈值电压(VGS(th)) :2.0V 至 3.0V
BSC028N06LS3G潜在应用:
同步整流
太阳能微型逆变器
隔离式 DC-DC 转换器
12-48 V 系统的电机控制
调光开关
型号
品牌
封装
数量
描述
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